TSM2303CX RFG
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TSM2303CX RFG

Product Overview

المُصنّع:

Taiwan Semiconductor Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

TSM2303CX RFG-DG

وصف:

MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 1.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23

المخزون:

12894527
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TSM2303CX RFG المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
180mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
565 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
TSM2303

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TSM2303CXRFGCT
TSM2303CX RFGDKR-DG
TSM2303CX RFGTR-DG
TSM2303CX RFGCT-DG
TSM2303CX RFGTR
TSM2303CX RFGDKR
TSM2303CXRFGTR
TSM2303CX RFGCT
TSM2303CXRFGDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMT3009LFVWQ-13

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333

diodes

DMTH10H010SCT

MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB

diodes

DMP3036SFV-13

MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333

diodes

DMTH4007SPS-13

MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060